GaN系微小光源（短共振器レーザー・マイクロLED）の独自の基板と工法を開発
※Si(シリコン)基板上に形成した100um（マイクロメートル）以下のGaN系端面発光レーザーにおいて（2022年9月京セラ調べ）<br />
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京セラ株式会社（代表取締役社長：谷本 秀夫）は、独自の成膜技術を応用し、GaN系微小光源（短共振器レーザー・マイクロLED）を作製するためのSi（シリコン）をベースとした独自基板とその基板を用いたGaN系微小光源の新しい工法（デバイスプロセス）を開発し、世界で初めて100um長レーザーの発振を実現し…
Source: ＰＲ最新情報